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ZnO晶相位于晶粒體內，為低電阻率的半導體，對大電流特性有決定性作用。ZnO半導化的原因主要是氧不足導致的非化學計量比和施主摻雜，有大量的導電電子存在，為n型半導體。富鉍相，約在750℃形成12/14 Bi2O3

·Cr2O3 ，溫度低于850℃參與形成焦綠石相，超過850℃后從焦綠石相中分離出來，生成含

Cr的富鉍相，含有尖晶石相和Zn，隨著溫度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。

Cr有穩定尖晶石相的作用，高溫冷卻時，可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時形成，850℃時達到峰值，約950℃時消失，

反應式如下

2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

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老化的表現：

老化是指在各種外加應力及外界因素作用下，其性能及電氣物理參數發生改變，逐步偏離其起始性能指標。ZnO壓敏電阻器老化后的I-V特性，老化主要集中在預擊穿區，而擊穿區的老化較小，表現為I-V特性曲線在低電場區向右偏移，阻性電流加大，功率損耗增大，壓敏電壓下降。直流電壓作用后的老化，I-V特性不對稱；交流電壓作用下的老化。另老化后電容量減小，介電損耗增大。

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氧化鋅壓敏電阻器的使用方法：壓敏電阻器是一種無極性過電壓保護元件，無論是交流還是直流電路，只需將壓敏電阻器與被保護電器設備或元器件并聯即可達到保護設備的目的

源林電子的壓敏電阻廣受贊譽，可靠性高、性價比高，具有很強的市場競爭力，想了解更多壓敏電阻資料，歡迎來電咨詢！

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